BC847BVN115 vs BC847BLT3G

Cette comparaison détaillée des composants BC847BVN115 et BC847BLT3G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Full specification comparison

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Specification BC847BVN115 BC847BLT3G
Part Status Active Active
Transistor Type - NPN
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 200 @ 2mA, 5V
Power - Max - 300 mW
Frequency - Transition - 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount