BAW56,215
NXP USA Inc.
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7892 PCS
- Package
- TO-236-3
- Series
- Diodes - redresseurs - array
Cette comparaison détaillée des composants BAW56,215 et BAW56LT116 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.
NXP USA Inc.
ROM
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| Specification | BAW56,215 | BAW56LT116 |
|---|---|---|
| Supplier | Rochester Electronics, LLC | Rohm Semiconductor |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 90 V | 70 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 215mA (DC) | 215mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |