BAV99LT3G vs BAV99E6327

Cette comparaison détaillée des composants BAV99LT3G et BAV99E6327 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
BAV99LT3G

+Nomenclature

12125 PCS | Semi - conducteurs
BAV99E6327

+Nomenclature

5629 PCS | Technologie Infineon
Package TO-236-3 TO-236-3
Description DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23 DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Supplier onsemi Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeConfiguration 1 Pair Series Connection 1 Pair Series Connection
DiodeType Standard Standard
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V 80 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 215mA (DC) 200mA (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ReverseRecoveryTime(trr) 6 ns 4 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 2.5 µA @ 70 V 150 nA @ 70 V
OperatingTemperature-Junction -65°C ~ 150°C 150°C (Max)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modèle de comparaison : BAV99LT3G BAV99E6327

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