BAS21AHT1G vs BAS21UE6359HTMA1 Comparaison

Cette comparaison détaillée des composants BAS21AHT1G et BAS21UE6359HTMA1 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
BAS21AHT1G

+Nomenclature

13599 PCS | Semi - conducteurs
BAS21UE6359HTMA1

+Nomenclature

2005 PCS | Technologie Infineon
Package SOD-323 SOT-457
Description DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 DIODE GP 200V 125MA SC74
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Last Time Buy
Diode Configuration - 3 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 250 V 200 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 125mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns 50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 nA @ 200 V 100 nA @ 200 V
Operating Temperature - Junction - 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Capacitance @ Vr F 5pF @ 0V, 1MHz -
Modèle de comparaison : BAS21AHT1G BAS21UE6359HTMA1

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