BAS16,215
NXP semiconducteurs
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7003 PCS
- Package
- SOT-23-3
- Series
- Diodes - redresseurs - Single
Cette comparaison détaillée des composants BAS16,215 et BAS16DXV6T5G vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.
NXP semiconducteurs
Semi - conducteurs
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| Specification | BAS16,215 | BAS16DXV6T5G |
|---|---|---|
| Supplier | - | onsemi |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Configuration | - | 2 Independent |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V | 75 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | - | 200mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns | 6 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | - | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BAS16 | - |
| Current - Average Rectified(Io) | 215mA (DC) | - |
| Capacitance @ Vr F | 1.5pF @ 0V, 1MHz | - |