AUIRF7341QTR vs AUIRF7342Q

Cette comparaison détaillée des composants AUIRF7341QTR et AUIRF7342Q vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AUIRF7341QTR AUIRF7342Q
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 690pF @ 25V
Power - Max 2.4W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number AUIRF7341 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V -
Grade Automotive -
Qualification AEC-Q101 -
Packaging Tape & Reel (TR) -
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