AS4C64M16D3B-12BCN vs AS4C64M16D2-25BIN

Cette comparaison détaillée des composants AS4C64M16D3B-12BCN et AS4C64M16D2-25BIN vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification AS4C64M16D3B-12BCN AS4C64M16D2-25BIN
Supplier - Alliance Memory, Inc.
Part Status Active Obsolete
Memory Type Volatile Volatile
Memory Format DRAM DRAM
Technology SDRAM - DDR3 SDRAM - DDR2
Memory Size 1Gb (64M x 16) 1Gb (64M x 16)
Memory Interface Parallel Parallel
Clock Frequency 800 MHz 400 MHz
Write Cycle Time - Word Page 15ns 15ns
Access Time 20 ns 400 ps
Voltage - Supply 1.425V ~ 1.575V 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC) -40°C ~ 95°C (TC)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount