APT30DQ120BG vs APT30GP60LDLG

Cette comparaison détaillée des composants APT30DQ120BG et APT30GP60LDLG vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification APT30DQ120BG APT30GP60LDLG
Supplier - Microchip Technology
Part Status Active Active
IGBT Type - PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 2.7V @ 15V, 30A
Power - Max - 463 W
Switching Energy - 260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 90 nC
Td(on / off) @ 25°C - 13ns/55ns
Test Condition - 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.3 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 320 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 1200 V -
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