AON7408 vs AON7401
Cette comparaison détaillée des composants AON7401 et AON7408 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
PowerVDFN-8
Description
MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
AON740
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FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±25V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Not For New Designs
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
10A (Ta), 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.6V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
448 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
3.1W (Ta), 11W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
