AON6994 vs AON6912A
Cette comparaison détaillée des composants AON6994 et AON6912A vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
Package
8-PowerVDFN
Description
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A 8DFN
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
AON699
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A, 26A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
820pF @ 15V
-
Power - Max
3.1W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Supplier
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
10A, 13.8A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
13.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
17nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
910pF @ 15V
Power-Max
-
1.9W, 2.1W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Connexes
6914 PCS
