2SB1188T100R vs 2SB1124S-TD-E

Cette comparaison détaillée des composants 2SB1188T100R et 2SB1124S-TD-E vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1188T100R

ROM

Lifecycle: Active
Stock: 22803 PCS
Package: TO-243AA
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Part B

2SB1124S-TD-E

Semi - conducteurs

Lifecycle: Active
Stock: 2939 PCS
Package: TO-243AA
Series: Transistor - Transistor de type bipolaire (BJT) - simple

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Full specification comparison

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Specification	2SB1188T100R	2SB1124S-TD-E
Supplier	Rohm Semiconductor	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	2 A	3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	32 V	50 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	800mV @ 200mA, 2A	700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff(Max)	1µA (ICBO)	1µA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	180 @ 500mA, 3V	140 @ 100mA, 2V
Power - Max	2 W	500 mW
Frequency - Transition	100MHz	150MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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