2SB1184TLR vs 2SB1121T-TD-E

Cette comparaison détaillée des composants 2SB1184TLR et 2SB1121T-TD-E vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 2SB1184TLR 2SB1121T-TD-E
Supplier Rohm Semiconductor onsemi
Part Status Active Active
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 3 A 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 200mA, 2A 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 180 @ 500mA, 3V 100 @ 100mA, 2V
Power - Max 1 W 500 mW
Frequency - Transition 70MHz 150MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount