2N7002KDW vs 2N7002DWA-7

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002KDW et 2N7002DWA-7 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 2N7002KDW 2N7002DWA-7
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 180mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.87nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 22pF @ 25V
Power - Max 150mW (Ta) 300mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
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