2N7002K-T1-E3 vs 2N7002A-7

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002A-7 et 2N7002K-T1-E3 vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique. Pour plus d'informations, consultez leurs fiches techniques ou contactez notre équipe commerciale pour obtenir de l'aide dans le choix du composant adapté à votre conception.
Spécifications
2N7002A-7

+Nomenclature

1569 PCS | La société diodes
2N7002K-T1-E3

+Nomenclature

3495 PCS | Siliconix
Package SOT-23-3 SOT-23-3
Description MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 180mA (Ta) 300mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6Ohm @ 115mA, 5V 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 23 pF @ 25 V 30 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 370mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - TrenchFET®
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.6 nC @ 4.5 V
Modèle de comparaison : 2N7002A-7 2N7002K-T1-E3

+Nomenclature Demande de devis