2N7002E vs 2N7002VA-7-F

Cette comparaison détaillée des composants 2N7002E et 2N7002VA-7-F vous offre un aperçu précieux de leurs spécifications et caractéristiques clés. Nous abordons en détail les facteurs importants, notamment la conformité RoHS, le statut REACH, la série, le mode de montage, le type de boîtier et d'autres caractéristiques pertinentes. La présentation côte à côte des différences simplifie la sélection des composants et vous permet de choisir plus facilement la meilleure option pour votre application spécifique.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification 2N7002E 2N7002VA-7-F
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 300mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 50pF @ 25V
Power - Max - 150mW
Operating Temperature 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
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